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一种拟合积累型MOS变容管的电学特性的方法

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摘要

本发明公开了一种拟合积累型MOS变容管的电学特性的方法，采用公式计算积累型MOS变容管的电容值Cap；其中，Vgs是积累型MOS变容管栅极与源极之间所加的电压值，并且栅极作为可变电压端，源极和漏极短接作为参考电压端；tanh()是双曲正切函数；c1＝a+b×Wg+c×Lg+d×Wg×Lg，c2＝e×Wg×Lg，a、b、c、d和e均为常数，取值范围在0到10之间；Wg和Lg分别为积累型MOS变容管的沟道宽度和沟道长度；c3和c4为常数，取值范围在-2到2之间。该方法对各种不同沟道长度、沟道宽度的积累型MOS变容管具有良好的拟合能力。

著录项

  • 公开/公告号CN101996263B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;

    申请/专利号CN200910057781.7

  • 发明设计人 周天舒;

    申请日2009-08-27

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈平

  • 地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-02-05

    专利权的转移 IPC(主分类):G06F 17/50 变更前: 变更后: 登记生效日:20140109 申请日:20090827

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-01-09

    授权

    授权

  • 2011-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20090827

    实质审查的生效

  • 2011-03-30

    公开

    公开

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