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等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法、电极、电极的再生方法、再生电极、等离子体蚀刻装置、气体导入孔的状态分布图及其显示方法

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提供了一种可以高精度地测量等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法以及具有高精度气体导入孔的电极。本发明的等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法，用于测量沿厚度方向贯穿等离子体蚀刻装置用电极中的基材而设置的气体导入孔，包括：使光从基材的一面侧朝向气体导入孔进行照射；获得通过气体导入孔而透过基材的另一面侧的光的二维图像；以及基于二维图像，测量气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。

著录项

公开/公告号CN106663625A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-10

原文格式PDF
申请/专利权人 A·SAT株式会社;
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申请/专利号CN201580032059.1
发明设计人铃木崇之;
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申请日2015-12-25
分类号H01L21/3065;H05H1/46;
代理机构北京华创博为知识产权代理有限公司;
代理人李伟波
地址日本东京都中央区日本桥小伝马町4番3号
入库时间 2023-06-19 02:05:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-25

授权

授权
2017-06-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3065 申请日:20151225

实质审查的生效
2017-05-10

公开

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