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减小三维堆叠中牺牲层在化学机械抛光中凹陷变形的方法

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摘要

本发明是一种减小三维堆叠中牺牲层在化学机械抛光中凹陷变形的方法，该方法包括以下步骤：（一）生长停止层；（二）刻蚀停止层形成刻蚀槽；（三）沉积牺牲层；（四）刻蚀牺牲层；（五）沉积平坦化层；（六）圆片无图形化刻蚀；（七）去除牺牲层和平坦化层；（八）去除停止层；（九）化学机械抛光调整圆片平整度和粗糙度；（十）研磨后清洗。本发明的优点是：通过增加光刻刻蚀牺牲层和平坦化材料填充，去除了由于图形大小和密度跨度太大造成的表面形貌起伏，并且大大降低了超厚牺牲层CMP的成本；利用无图形刻蚀和三步CMP可以实现超高的平坦化均匀性和极小的凹陷变形，满足三维堆叠中对不同厚度氧化硅牺牲层平坦化的要求。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B81B7/02 申请公布日:20170517 申请日:20161221

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81B7/02 申请日:20161221

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    公开

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