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一种DFB半导体激光器制备方法及制得的激光器

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本发明涉及一种DFB半导体激光器制备方法，包括以下步骤：步骤S11、制备外延片：外延片采用波导和有源区结构；步骤S12、制备基片：在外延片表面的光栅层上制备均匀的部分光栅，并对光栅进行掩埋生长；步骤S13、制备脊型波导：对基片进行脊型控制腐蚀，制备多个脊型波导。本发明还涉及该方法制得的DFB半导体激光器。本发明在制备脊型波导结构时在单颗管芯靠近其中间位置制备多个脊型波导，多个脊型波导相互独立，并且有各自的电流注入区域，其中只要有一个脊型波导的出光特性合格，则该管芯合格，由此制备的芯片工艺简便、与常规工艺兼容，能大幅有效地提高DFB半导体激光器的成品率。

著录项

公开/公告号CN106711761A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-24

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院福建物质结构研究所;
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申请/专利号CN201710031147.0
发明设计人薛正群;苏辉;王凌华;陈阳华;林琦;林中晞;
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申请日2017-01-17
分类号H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343;
代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘元霞
地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号
入库时间 2023-06-19 02:17:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-06-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/12 申请日:20170117

实质审查的生效
2017-05-24

公开

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