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一种DFB半导体激光器制备方法及激光器

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本发明涉及一种DFB半导体激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤S11、制备基片：在衬底层上形成量子阱结构和外延结构，制成基片；步骤S12、制备脊型波导结构：在步骤S11制备的基片表面靠近出光端面的区域腐蚀形成脊型波导结构；步骤S13、制备腔外结构：在经过步骤S12的基片表面靠近脊型波导结构的区域形成刻蚀到衬底层的周期性均匀光栅；并在靠近背光端面的区域形成探测器，探测器靠近光栅。本发明还提出一种由该方法制得的激光器。本发明通过采用在激光器腔外单芯片集成了光栅和探测器，与常规的DFB半导体激光器相比，无需光栅的二次掩埋生长；对于器件应用来说无需外加的背光探测器芯片，能有效降低器件成本。

著录项

公开/公告号CN106785904A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-31

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院福建物质结构研究所;
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申请/专利号CN201710031282.5
发明设计人薛正群;苏辉;王凌华;陈阳华;林琦;林中晞;
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申请日2017-01-17
分类号H01S5/12(20060101);H01S5/22(20060101);H01S5/343(20060101);
代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘元霞;张祖萍
地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号
入库时间 2023-06-19 02:19:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-06-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/12 申请日:20170117

实质审查的生效
2017-05-31

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1. 一种DFB半导体激光器制备方法及激光器 [P] . 中国专利： CN106785904A . 2017-05-31
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机译：用于半导体激光器，尤其是DFB激光器的半导体结构的制造包括在衬底上外延形成激光波导层，在波导中形成晶格结构并进一步处理。