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用于SOI芯片‑光纤耦合的堆叠式光子芯片耦合器

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摘要

提供了一种通过接合的光子芯片(104)耦合器构建的用于绝缘体上硅(SOI)芯片‑光纤(106)耦合的光耦合器。用于将光子芯片(104)耦合至光纤(106)的光耦合器包括：光子芯片(104)，该光子芯片包括纳米级光子波导(106)、光子光学衍射表面光栅(122)以及覆盖光子波导(106)和光子光栅(122)的第一覆层(120)；以及光耦合芯片(102)，该光耦合芯片包括嵌入在第一耦合覆层(114)中且嵌在第二耦合覆层(110)上的微米级耦合波导和耦合光学衍射表面光栅(112)，其中，第一耦合覆层(114)连接至第一覆层(120)，其中，光耦合芯片(102)被构造成对在光子芯片(104)与光纤(106)之间传输的光进行耦合。

著录项

  • 公开/公告号CN107076931A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华为技术有限公司;

    申请/专利号CN201580015692.X

  • 发明设计人 蒋嘉;

    申请日2015-09-29

  • 分类号G02B6/30(20060101);G02B6/34(20060101);

  • 代理机构44285 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王仲凯

  • 地址 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

  • 入库时间 2023-06-19 03:06:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B6/30 申请公布日:20170818 申请日:20150929

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/30 申请日:20150929

    实质审查的生效

  • 2017-08-18

    公开

    公开

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