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一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法

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本发明涉及一种微电子技术领域的材料，具体涉及一种用于高稳定性相变存储器的Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料及制备方法，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料的原子百分比组成为GexCu100‑2xTex，所述Ge‑Cu‑Te纳米相变薄膜材料是以GeTe靶和圆形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够大大提高PCRAM的非晶热稳定性；具有较高的晶态电阻，能够减少PCRAM的功耗。

著录项

公开/公告号CN107093667A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-25

原文格式PDF
申请/专利权人江苏理工学院;
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申请/专利号CN201710193047.8
发明设计人胡益丰;朱小芹;尤海鹏;邹华;袁丽;张剑豪;吴世臣;
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申请日2017-03-28
分类号H01L45/00(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构32231 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙);
代理人刘娟娟
地址 213001 江苏省常州市中吴大道1801号
入库时间 2023-06-19 03:10:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-04

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L45/00 申请公布日:20170825 申请日:20170328

发明专利申请公布后的驳回
2017-09-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20170328

实质审查的生效
2017-08-25

公开

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机译：采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元，包括该相变存储层的相变存储器件，包括该相变存储器件的电子系统及其制造方法