法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-20
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G53/04 申请公布日:20171024 申请日:20170713
发明专利申请公布后的视为撤回
2018-01-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G53/04 申请日:20170713
实质审查的生效
2017-10-24
公开
公开
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 制备NiO纳米片的方法和通过该方法制备的NiO纳米片
机译: 可以确保电气稳定性和高电流密度的NIO纳米片的制造方法以及用该方法制造的NIO纳米片