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包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法

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摘要

本发明公开了一种包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法。其中，包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管包括：衬底；成核层，形成于衬底之上；缓冲层，形成于成核层之上；沟道层，形成于缓冲层之上；势垒层，形成于沟道层之上；以及P型超晶格，形成于势垒层之上。通过在势垒层上生长P型超晶格结构，从而提高空穴浓度，耗尽沟道中的二维电子气，获得增强型高电子迁移率晶体管，且将栅极区域以外极化掺杂的P型超晶格层去除，保留这些区域的二维电子气，可以保证器件有很低的通态电阻，制备工艺简单，有利于器件的工业化生产。

著录项

公开/公告号CN107393956A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-24

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201710548788.3
发明设计人李喜林;马平;刘波亭;王军喜;李晋闽;
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申请日2017-07-06
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 03:52:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-15

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/15 申请公布日:20171124 申请日:20170706

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-12-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/15 申请日:20170706

实质审查的生效
2017-11-24

公开

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