首页> 中国专利> 适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法

适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法，属于数字集成电路技术领域。选取预定尺寸的标准器件搭建反相器并计算标准器件的N/P漏电比；搭建标准单元电路并将标准单元电路的漏电流和延时从其来源进行划分，计算得到标准单元电路的N/P漏电系数比和N/P延时系数比，从而得出标准单元电路漏电能耗最小的最优N/P漏电比；再根据标准器件的N/P漏电比和标准单元电路的最优N/P漏电比计算调节系数，根据调节系数进行尺寸设计，得到漏电能耗最小时构成标准单元电路的NMOS管和PMOS管的最优尺寸。根据本发明提出的方法所设计的标准单元具有低漏电的特点，基于此可以实现低功耗数字电路的设计。

著录项

公开/公告号CN107403052A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-28

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
展开▼

申请/专利号CN201710656284.3
发明设计人贺雅娟;史兴荣;张子骥;张岱南;衣溪琳;何进;张波;
展开▼

申请日2017-08-03
分类号
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 03:54:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-01

授权

授权
2017-12-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20170803

实质审查的生效
2017-11-28

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法 [P] . 中国专利： CN107403052B . 2019.11.01
2. 适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法 [P] . 中国专利： CN107403052A . 2017-11-28
3. High-Credibility Flip-Flop and Mult-Threshold CMOS Latch Circuit Having Low Sub-Threshold Leakage Current [P] . 韩国专利： KR100699448B1 . 2007-03-28

机译：具有低亚阈值漏电流的高可信度触发器和多阈值CMOS锁存电路
4. AN ULTRA LOW POWER SRAM CELL CIRCUIT WITH A SUPPLY FEEDBACK LOOP FOR NEAR AND SUB THRESHOLD OPERATION [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012153257A3 . 2013-02-21

机译：具有低反馈功率的超低功耗SRAM单元电路，用于近阈值和亚阈值操作
5. AN ULTRA LOW POWER SRAM CELL CIRCUIT WITH A SUPPLY FEEDBACK LOOP FOR NEAR AND SUB THRESHOLD OPERATION [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012153257A2 . 2012-11-15

机译：具有低反馈功率的超低功耗SRAM单元电路，用于近阈值和亚阈值操作