• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路

MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明实施例公开了一种金属氧化物半导体(MOS)电容器。MOS电容器包括前段制程(FEOL)场效应晶体管(FET)和多个中间段制程(MEOL)导电结构。FEOL FET包括设置在半导体衬底中的源极区和漏极区和位于半导体结构上方的栅极。在栅极的顶面上设置多个MEOL导电结构。MEOL导电结构的至少一个与后端制程(BEOL)金属层电断开。本发明也公开了半导体制造方法和MOS电容器电路。本发明实施例涉及MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路。

著录项

  • 公开/公告号CN107564970A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201611246207.2

  • 发明设计人 刘思麟;洪照俊;彭永州;

    申请日2016-12-29

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2023-06-19 04:12:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/94 申请公布日:20180109 申请日:20161229

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-01-09

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号