首页> 中国专利> 利用宏粒子减少涂层的等离子体源和将等离子体源用于沉积薄膜涂层和表面改性的方法

利用宏粒子减少涂层的等离子体源和将等离子体源用于沉积薄膜涂层和表面改性的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明通常涉及利用宏粒子减少涂层的等离子体源和使用利用宏粒子减少涂层的等离子体源用于薄膜涂层的沉积和表面的改性的方法。更特别地，本发明涉及包括一个或多个等离子体产生电极的等离子体源，其中宏粒子减少涂层沉积在一个或多个电极的等离子体产生表面的至少一部分上以遮蔽电极的等离子体产生表面免于由所产生的等离子体腐蚀并抵抗粒子物质的形成，因而增强性能并延长等离子体源的使用寿命。

著录项

公开/公告号CN107615888A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-19

原文格式PDF
申请/专利权人北美AGC平板玻璃公司;AGC玻璃欧洲公司;旭硝子株式会社;
展开▼

申请/专利号CN201480084542.X
发明设计人 J·钱伯斯;P·马诗威茨;Y·林;H·约翰逊;
展开▼

申请日2014-12-05
分类号H05H1/24(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛;王英
地址美国乔治亚州
入库时间 2023-06-19 04:20:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-09-14

著录事项变更 IPC(主分类):H05H1/24 变更前: 变更后: 申请日:20141205

著录事项变更
2018-02-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H05H1/24 申请日:20141205

实质审查的生效
2018-01-19

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 利用宏粒子减少涂层的等离子体源和将等离子体源用于沉积薄膜涂层和表面改性的方法 [P] . 中国专利： CN107615888B . 2022.01.04
2. 利用宏粒子减少涂层的等离子体源和将等离子体源用于沉积薄膜涂层和表面改性的方法 [P] . 中国专利： CN107615888A . 2018-01-19
3. PLASMA SOURCE UTILIZING A MACRO-PARTICLE REDUCTION COATING AND METHOD OF USING A PLASMA SOURCE UTILIZING A MACRO-PARTICLE REDUCTION COATING FOR DEPOSITION OF THIN FILM COATINGS AND MODIFICATION OF SURFACES. [P] . MX2017007357A . 2018-04-24

机译：利用微颗粒减少涂层的等离子体源和利用微颗粒减少涂层的等离子体源用于薄膜涂层的沉积和表面改性的方法。
4. PLASMA SOURCE UTILIZING A MACRO-PARTICLE REDUCTION COATING AND METHOD OF USING A PLASMA SOURCE UTILIZING A MACRO-PARTICLE REDUCTION COATING FOR DEPOSITION OF THIN FILM COATINGS AND MODIFICATION OF SURFACES [P] . 美国专利： US2020350144A1 . 2020-11-05

机译：利用微颗粒减少涂层的等离子体源和利用微颗粒减少涂层的等离子体源用于薄膜沉积和表面改性的方法
5. PLASMA SOURCE UTILIZING A MACRO PARTICLE REDUCTION COATING AND METHOD OF USING A PLASMA SOURCE UTILIZING A MACRO PARTICLE REDUCTION COATING FOR DEPOSITION OF THIN FILM COATINGS AND MODIFICATION OF SURFACES [P] . IN201717022678A . 2018-01-19

机译：利用宏观颗粒减少涂层的等离子体源和利用宏观颗粒减少涂层的等离子体源用于薄膜沉积和表面改性的方法