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一种基于贝叶斯理论的继电器类单机贮存可靠性评估方法

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本发明公开一种基于贝叶斯理论的继电器类单机贮存可靠性评估方法，包括如下步骤：获取可用于提高继电器类单机贮存可靠性评估结果准确度的相关数据；开展继电器类单机贮存退化试验，并获取贮存退化数据；通过EM迭代法将贮存可靠性先验信息转化为继电器类单机输出特性分布参数超参数的先验估计；基于贝叶斯理论，得到超参数的后验估计；根据超参数的后验估计，计算继电器类单机输出特性分布参数的期望值；对分布参数的期望值关于贮存时间t进行函数拟合；根据分布参数期望值的拟合结果，计算继电器类单机的贮存可靠度。本发明应用贝叶斯理论将其与实际试验数据相结合，实现对此类信息的有效利用，从而达到提高贮存可靠性评估准确性的目的。

著录项

公开/公告号CN107704704A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-16

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工业大学;
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申请/专利号CN201710993399.1
发明设计人叶雪荣;林义刚;牛皓;翟国富;
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申请日2017-10-23
分类号G06F17/50(20060101);
代理机构11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;
代理人孙皓晨
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2023-06-19 04:31:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-16

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20171023

实质审查的生效
2018-02-16

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