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三维存储结构连线方法、存储结构、存储器及电子设备

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本发明提供一种三维存储结构连线方法、三维存储结构、三维存储器及电子设备。其中，所述三维存储结构连线方法，包括：形成目标通孔，以及在所述目标通孔的顶端形成通孔扩展区；在所述目标通孔中形成接触线，以及在所述通孔扩展区中形成与所述接触线连接的接触垫；基于所述接触垫形成与所述接触线连接的金属连线。本发明提供的三维存储结构连线方法，通过在目标通孔的顶端形成通孔扩展区，并在所述通孔扩展区中形成接触垫，即可利用所述接触垫扩大接触线的接触窗口，使得在形成金属连线的过程中，垂直通路可以兼容错位影响而良好地着陆到接触垫上，从而可以提高连线的质量和成功率。

著录项

公开/公告号CN107946237A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-20

原文格式PDF
申请/专利权人长江存储科技有限责任公司;
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申请/专利号CN201711184323.0
发明设计人王鹏程;王喆;
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申请日2017-11-23
分类号H01L21/768(20060101);H01L27/115(20170101);
代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人刘广达
地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2023-06-19 05:05:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-27

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20180420 申请日:20171123

发明专利申请公布后的驳回
2018-05-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20171123

实质审查的生效
2018-04-20

公开

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