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锡化合物及其合成方法、用于原子层沉积的锡前体化合物及形成含锡材料膜的方法

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摘要

本发明提供一种锡化合物、用于原子层沉积(ALD)的锡前体化合物、形成含锡材料膜的方法、及合成锡化合物的方法，所述锡化合物是由化学式(I)表示：其中R1、R2、Q1、Q2、Q3、及Q4分别独立地为C1至C4直链烷基或支链烷基，且所述锡化合物可具有良好的热稳定性。

1. 锡化合物及其合成方法、用于原子层沉积的锡前体化合物及形成含锡材料膜的方法 [P] . 中国专利： CN108149222A . 2018-06-12
2. 可用于形成掺氟氧化锡涂层的含氟有机锡化合物 [P] . 中国专利： CN87104911A . 1988-05-11
3. TIN COMPOUND, METHOD OF SYNTHESIZING THE SAME, TIN PRECURSOR COMPOUND FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION, AND METHOD OF FORMING TIN-CONTAINING MATERIAL FILM [P] . 美国专利： US2018155372A1 . 2018-06-07

机译：锡化合物，相同方法的合成，用于原子层沉积的锡前体化合物以及形成含锡材料膜的方法
4. TIN COMPOUND, METHOD OF SYNTHESIZING THE SAME, TIN PRECURSOR COMPOUND FOR ALD, AND METHOD OF FORMING TIN-CONTAINING MATERIAL FILM [P] . 日本专利： JP2018090586A . 2018-06-14

机译：锡化合物，相同的合成方法，用于ALD的锡前体化合物以及形成含锡材料膜的方法
5. ALD Tin compound method of synthesizing the same tin precursor compound for ALD and method of forming tin-containing material layer [P] . 韩国专利： KR20180063754A . 2018-06-12

机译： ALD锡化合物的合成相同的用于ALD的锡前体化合物的方法和形成含锡材料层的方法