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基于经验公式的半导体器件的建立解析模型的方法

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摘要

本发明的实施例包括一种基于非线性电容经验公式和电流源经验公式的半导体器件的建立解析模型的方法，包括以下步骤：测量一组所述半导体器件在不同环境温度和不同静态偏置的组合下的散射参数；确定一组外部寄生参数；建立所述半导体器件的一个小信号等效电路模型；基于所述确定的外部寄生参数，从所述的一组散射参数中去嵌掉所述外部寄生参数，以获得一组所述半导体器件的所述小信号等效电路模型的内部参数；用所述非线性电容经验公式建立一个非线性电容模型；用所述电流源经验公式建立一个电流源模型；以及用所述一组内部参数、所述非线性电容模型、所述电流源模型建立所述半导体器件的一个大信号等效模型。

著录项

公开/公告号CN108153926A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-12

原文格式PDF
申请/专利权人新加坡国立大学;苏州工业园区新国大研究院;
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申请/专利号CN201611109702.9
发明设计人郭永新;黄安东;仲正;
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申请日2016-12-02
分类号
代理机构广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郝传鑫
地址新加坡新加坡市肯特岗下段21号
入库时间 2023-06-19 05:38:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-03

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20161202

实质审查的生效
2018-06-12

公开

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