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首页> 中国专利> 一种贵金属/二氧化硅复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法

一种贵金属/二氧化硅复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法

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摘要

本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法。利用简单的旋涂成膜工艺技术，在图案化的ITO玻璃衬底上，分别旋涂空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层、贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点混合量子点层、电子传输层，再通过磁控溅射蒸镀电极以及封装工艺，最终制备出贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件。利用金属等离子体激元增强效应提升半导体量子点周围的电场强度，从而有效提升在电致发光发光层载流子复合的利用效率，使得半导体量子点电致发光强度和发光效率剧增。

著录项

  • 公开/公告号CN108232042A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福州大学;

    申请/专利号CN201810065630.5

  • 发明设计人 杨尊先;郭太良;赵志伟;阮玉帅;叶冰清;胡海龙;陈恩果;陈耿旭;李福山;赖寿强;

    申请日2018-01-23

  • 分类号H01L51/56(20060101);H01L51/50(20060101);

  • 代理机构35100 福州元创专利商标代理有限公司;

  • 代理人蔡学俊

  • 地址 350108 福建省福州市闽侯县福州地区大学新区学园路2号

  • 入库时间 2023-06-19 05:49:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/56 申请日:20180123

    实质审查的生效

  • 2018-06-29

    公开

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