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一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构

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摘要

一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构，以n型晶体硅片为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面由本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅层、透明导电氧化物TCO层、金属栅线II，其中，金属栅线II部分覆盖透明导电氧化物TCO层。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了晶体硅太阳电池的发电能力。相比于HIT和HAC‑D结构完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。

著录项

  • 公开/公告号CN108336164A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌大学;

    申请/专利号CN201810198911.8

  • 发明设计人 袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩;

    申请日2018-03-12

  • 分类号

  • 代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司;

  • 代理人施秀瑾

  • 地址 330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

  • 入库时间 2023-06-19 06:00:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-07

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0224 申请公布日:20180727 申请日:20180312

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0224 申请日:20180312

    实质审查的生效

  • 2018-07-27

    公开

    公开

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