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一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法

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本发明公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。

著录项

公开/公告号CN108321271A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-24

原文格式PDF
申请/专利权人西安交通大学;
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申请/专利号CN201810182721.7
发明设计人王宏兴;刘璋成;赵丹;张明辉;王玮;问峰;卜忍安;侯洵;
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申请日2018-03-06
分类号H01L33/34(20100101);H01L33/64(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构61219 陕西增瑞律师事务所;
代理人刘春
地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
入库时间 2023-06-19 06:30:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/34 申请日:20180306

实质审查的生效
2018-07-24

公开

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