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用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法

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本发明提供一种用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法，包括：获取标准MOS商用静态模型文件；获取建立好的MOS总剂量辐射模型，将所述MOS总剂量辐射模型转换为受控辐射电压源模型及受控侧壁晶体管辐射电流源模型；将所述受控辐射电压源模型及所述受控侧壁晶体管辐射电流源模型的子电路写入所述标准MOS商用静态模型文件中，以构建MOS总剂量辐射模型的电路拓扑结构；将所述MOS总剂量辐射模型以子电路的形式嵌入所述标准MOS商用静态模型文件中，以形成含辐射效应的MOS模型；调用所述含辐射效应的MOS模型进行电路辐射效应仿真。本发明简化了辐射仿真过程，方便电路设计人员直接调用，且适用于Hspice和Spectre仿真器，普适性高。

著录项

公开/公告号CN108536959A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-14

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
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申请/专利号CN201810311857.3
发明设计人陈静;许灵达;柴展;王硕;
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申请日2018-04-09
分类号
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人余明伟
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-06-19 06:28:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-16

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180409

实质审查的生效
2018-09-14

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