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制造超导体和声子元件的方法

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提供制造超导体元件的方法和一种制造声子元件的方法。所述制造超导体元件的方法包括在材料中形成周期性图案化结构以更改所述材料的初级层(M)中的电子结构的步骤，所述电子结构与所述初级层(M)的所述或每个声子耦合以在所述初级层(M)中诱导超导性或修改所述初级层的所述超导性，和/或所述制造超导体元件的方法包括在材料中形成周期性图案化结构以在所述材料的初级层(M)中产生一个或多个声子或更改所述材料的初级层(M)中的一个或多个声子的步骤，所述一个或多个声子与所述初级层(M)的电子耦合以在所述初级层(M)中诱导超导性或修改所述初级层的所述超导性。所述制造声子元件的方法包括以下步骤：将材料的初级层(M)和次级层(M2)中的一个设于所述材料的所述初级层(M)和所述次级层(M2)中的另一个上；以及在所述次级层(M2)中形成周期性图案化结构以在所述初级层(M)中产生一个或多个声子或更改所述初级层(M)中的一个或多个声子。

著录项

公开/公告号CN108701750A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-23

原文格式PDF
申请/专利权人莱顿大学;
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申请/专利号CN201780011382.X
发明设计人米兰·艾伦;
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申请日2017-01-12
分类号
代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李丙林
地址荷兰莱顿
入库时间 2023-06-19 06:55:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L39/12 申请日:20170112

实质审查的生效
2018-10-23

公开

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