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中红外非线性光学晶体锗酸镓铅、其应用及中红外非线性激光系统

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本发明提供了一种中红外非线性光学晶体锗酸镓铅、其应用及中红外非线性激光系统，中红外非线性光学晶体锗酸镓铅Pb3Ga2Ge4O14的XRD谱图如图1所示，晶胞参数为a=8.405(1)，b=8.405(1)，c=5.0112(7)，α=β=γ=90°；结构为：P32空间群；熔点为948.5℃；带隙为3.39 eV；实现2.09μm至1.045μm的相位匹配，其粉末倍频效为同等颗粒度下AgGaS2晶体的0.8倍，同等颗粒度下KDP晶体的5倍。本发明的中红外非线性光学晶体锗酸镓铅具有优异的光学性能，其带隙大，红外透过范围宽，可覆盖3~5μm的大气透明窗口，激光损伤阈值高，非线性光学系数大，在红外通讯器件、红外激光制导器件及高功率中红外激光系统中具有广泛的潜在应用价值。

著录项

公开/公告号CN111607822A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-01

原文格式PDF
申请/专利权人河北大学;
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申请/专利号CN202010464677.6
发明设计人张兵兵;喻进;张晓东;
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申请日2020-05-28
分类号C30B1/10(20060101);C30B29/32(20060101);G02F1/35(20060101);G02F1/355(20060101);G02F1/37(20060101);H01S3/109(20060101);H01S3/16(20060101);
代理机构13112 石家庄国域专利商标事务所有限公司;
代理人黄慧慧
地址 071002 河北省保定市五四东路180号河北大学
入库时间 2023-06-19 08:08:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-09-02

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 1/10 专利申请号:2020104646776 申请公布日:20200901

发明专利申请公布后的驳回

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