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基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线

摘要

本发明公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线,包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同,该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构,仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射,并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右,可以实现匹配。

著录项

  • 公开/公告号CN111682311A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林电子科技大学;

    申请/专利号CN202010635180.6

  • 申请日2020-07-04

  • 分类号H01Q1/38(20060101);H01Q1/50(20060101);H01Q19/185(20060101);H01Q15/14(20060101);

  • 代理机构45134 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张学平

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

  • 入库时间 2023-06-19 08:19:12

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