公开/公告号CN111727180A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 三井金属矿业株式会社;
申请/专利号CN201980013179.5
申请日2019-02-08
分类号C04B35/56(20060101);H01L21/31(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈建全
地址 日本东京
入库时间 2023-06-19 08:23:55
机译: 用于碳化硅半导体生产设备的金属碳化物烧结体和包括其的耐热构件
机译: 基于碳化硅的烧结体,以及由基于碳化硅的烧结体制成的静电吸附部件和半导体制造装置部件
机译: 高熔点金属合金,高熔点金属硅化物,高熔点金属碳化物,靶及其制造方法以及由高熔点金属氮化物或高熔点金属的火焰烧结体构成的相同溅射靶。点金属硼化物-背板组件及其生产方法