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基于LTCC工艺的三阶混合电磁耦合SIW滤波器

摘要

本发明公开了基于LTCC工艺的三阶混合电磁耦合SIW滤波器,包括自上而下依次设置的顶层金属层Top、第一基片集成波导腔体C1、第一金属耦合窗层L1、第二基片集成波导腔体C2、第二金属耦合窗层L2、第三基片集成波导腔体C3及底层金属地Bottom;在顶层金属层Top的一端设置为共面波导输入端口Input,在底层金属地Bottom上相对共面波导输入端口Input的设置端设置为共面波导输出端口Output,可以很好地解决采用传统滤波器技术设计的带通滤波器已不能完全满足现代技术发展需要的问题,具有高选择性,带内损耗小,边带抑制高和尺寸小的特征。

著录项

  • 公开/公告号CN111755781A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010632447.6

  • 申请日2020-07-02

  • 分类号H01P1/20(20060101);H01P1/208(20060101);

  • 代理机构51244 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人廖曾

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 08:30:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-19

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01P 1/20 专利申请号:2020106324476 申请公布日:20201009

    发明专利申请公布后的驳回

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