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调变激光二极管改良结构

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一种调变激光二极管改良结构，包括一半导体基板及形成于半导体基板之上的一分布式回馈激光。分布式回馈激光分为一前端部及一后端部。分布式回馈激光由下至上依次包括一下半导体层、一主动层、一上半导体层、一前光栅、及一后光栅。前光栅形成于分布式回馈激光的前端部的下半导体层中或上半导体层中。后光栅形成于分布式回馈激光的后端部的下半导体层中或上半导体层中。前光栅的一光栅长度大于或等于后光栅的一光栅长度。前光栅的一光栅周期等于后光栅的一光栅周期。前光栅的一光栅责务周期大于或等于40％且小于或等于60％。后光栅的一光栅责务周期大于0％且小于40％或大于60％且小于100％。

著录项

  • 公开/公告号CN111817132A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶连股份有限公司;

    申请/专利号CN201910294614.8

  • 发明设计人 颜胜宏;内田俊一;林楷滨;

    申请日2019-04-12

  • 分类号H01S5/12(20060101);H01S5/32(20060101);H01S5/06(20060101);

  • 代理机构11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙皓晨;侯奇慧

  • 地址 中国台湾新北市

  • 入库时间 2023-06-19 08:36:28

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