公开/公告号CN111911122A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-10
原文格式PDF
申请/专利号CN201910375839.6
申请日2019-05-07
分类号E21B43/26(20060101);E21B43/267(20060101);E21C41/24(20060101);
代理机构11372 北京聿宏知识产权代理有限公司;
代理人吴大建;康志梅
地址 100728 北京市朝阳区朝阳门北大街22号
入库时间 2023-06-19 08:50:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-25
授权
发明专利权授予
机译: FinFET器件在接触区域下有一个合并源漏区,而在接触区域之间有一个未融合的Fins,以及一种制造该方法的方法
机译: 一种检测对保护区的未授权访问尝试的方法
机译: 一种检测对保护区的未授权访问尝试的方法