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公开/公告号CN111931324A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-13
原文格式PDF
申请/专利权人 南京理工大学;
申请/专利号CN202010366822.7
发明设计人 丁大志;陈如山;樊振宏;包华广;王林;张天成;李晓阳;
申请日2020-05-01
分类号G06F30/20(20200101);G06F17/12(20060101);G06F111/10(20200101);
代理机构32203 南京理工大学专利中心;
代理人王玮
地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号
入库时间 2023-06-19 08:52:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-21
授权
发明专利权授予
机译: 模拟方法,MBD程序,数值分析装置,MBD,数值分析计划和MBD计划的数值分析装置,数值分析系统的仿真方法,仿真方法
机译: 仿真方法,基于MBD程序的仿真方法,数值分析装置,用于MBD的数值分析系统,数值分析程序以及MBD程序
机译: 仿真方法,通过MBD程序进行的仿真方法,数值分析器,用于MBD的数值分析系统,数值分析程序和MBD程序
机译:修正电子能量分布函数的流体模型对高功率微波在气体中击穿的数值研究
机译:高功率微波源中金属表面高梯度微波击穿机制
机译:大功率微波介质介电击穿的数值模拟
机译:使用金属介电屏幕发起的微波气体击穿高功率毫米波梁的成像
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:高功率气体冷却微波消融:轴冷却产生有效的粘性功能而不改变消融区
机译:用于微波功率放大的异质结FET的击穿和高场可靠性问题
机译:击穿过程中高功率微波能量与氮的耦合