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金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列

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本发明涉及一种金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列。所述制备方法包括以下步骤：在衬底表面上旋涂压印胶；将纳米阵列压印在压印胶上；将衬底倒置使其具压印胶的一面与硅基底结合，以在压印胶和硅基底之间形成纳米级的微通道阵列；通过毛细作用使金属盐溶液流入至微通道阵列中，并在微通道阵列中进行自组装，从而形成纳米线阵列；将微通道阵列加热以使微通道阵列中的液体挥发，从而定型；将衬底及其压印胶从硅基底揭除以在硅基底上获得金属盐纳米线阵列；以及对金属盐纳米线阵列进行加热使其热分解，以在硅基底上获得金属氧化物纳米线阵列。该制备方法成本低，制备得到的阵列整齐、精度高，产率高。

著录项

公开/公告号CN111924799A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-13

原文格式PDF
申请/专利权人天津大学;
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申请/专利号CN202010633959.4
发明设计人段学欣;刘宇轩;方烨;
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申请日2020-07-02
分类号B82B3/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11017 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人韩登营
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2023-06-19 08:53:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-09-23

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2020106339594 申请公布日:20201113

发明专利申请公布后的视为撤回

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