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高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备

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摘要

本发明涉及高光谱成像技术领域，具体涉及一种高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备，包括以下步骤：底反射层位于CMOS图像传感器晶圆的感光区域表面上；通过反复采用沉积、光刻以及选择性刻蚀工艺在底反射层上形成透明空腔层，透明空腔层包括2n个台阶结构，其中，n为≥1的正整数，每个台阶结构构成一个光谱带；使得所述顶反射层位于所述透明空腔层上。本申请在刻蚀刻蚀停止层和后面去除刻蚀停止层时都对透明空腔层有超高的选择比，不会改变已做好的透明空腔层和暴露的底反射层，同时通过控制薄膜沉积的工艺条件对沉积的材料层的厚度进行控制，达到了精确控制各台阶高度的目的，减少刻蚀时形成的刻蚀误差。

著录项

公开/公告号CN111952326A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-17

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN202010678633.3
发明设计人高建峰;白国斌;刘卫兵;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武;
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申请日2020-07-15
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人金铭
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 08:55:10

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