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一种自给自足还原制备石墨烯材料的方法、石墨烯材料、石墨烯薄膜、电极和电容器

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摘要

本发明提供了一种自给自足还原制备石墨烯材料的方法，包括以下步骤：采用辐射和/或热源引发独立式氧化石墨烯的自给自足还原，得到石墨烯材料；所述独立式氧化石墨烯为无支撑的氧化石墨烯；所述引发的温度为350～440℃。本发明中的方法能够自足地还原独立式氧化石墨烯膜，从而最大程度地减少还原氧化石墨烯膜的能耗。该方法能够在没有连续能量输入的情况下还原具有任意大面积的氧化石墨烯膜，并产生高性能的超级电容器。本发明还提供了一种石墨烯材料、石墨烯薄膜、电极和电容器。

著录项

  • 公开/公告号CN111943178A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 伊诺福科光学技术有限公司;

    申请/专利号CN202010847930.6

  • 发明设计人 林瀚;贾宝华;

    申请日2020-08-21

  • 分类号C01B32/19(20170101);H01G11/26(20130101);H01G11/32(20130101);H01G11/86(20130101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人付丽

  • 地址 澳大利亚维多利亚州博文北费迪南德大道38号

  • 入库时间 2023-06-19 08:56:41

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