首页> 中国专利> 一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法

一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法

页面导航

摘要

本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法，主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底；然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905～4.0 angstrom)；其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB0

1. 一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法 [P] . 中国专利： CN101789260B . 2013.03.20
2. 一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101159271A . 2008-04-09
3. METHOD OF MAKING FERROELECTRIC THIN FILM FERROELECTRIC CAPACITOR FERROELECTRIC MEMORY CELL AND METHOD FOR FABRICATING FERROELECTRIC MEMORY [P] . 韩国专利： KR20010039824A . 2001-05-15

机译：制备铁电薄膜薄膜铁电电容器铁电存储器的方法及制造铁电存储器的方法
4. Ferroelectric film, method of manufacturing ferroelectric film, ferroelectric capacitor, method of manufacturing ferroelectric capacitor, and ferroelectric memory [P] . 美国专利： US7074624B2 . 2006-07-11

机译：铁电薄膜，铁电薄膜的制造方法，铁电电容器，铁电电容器的制造方法以及铁电存储器
5. Ferroelectric film, method of manufacturing ferroelectric film, ferroelectric capacitor, method of manufacturing ferroelectric capacitor, and ferroelectric memory [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1463100A1 . 2004-09-29

机译：铁电薄膜，铁电薄膜的制造方法，铁电电容器，铁电电容器的制造方法以及铁电存储器