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基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元

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本发明公开了一种基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元，包括基于FinFET工艺构成的新型DICE抗辐照单元，所述新型DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，采用存储数值相同的两端同时进行写操作，单端读的方式同时使用传输门做传输管，所述电路的两侧通过闸门控制电路的接通与断开。通过上述方式，本发明能够抗单粒子翻转，同时还能提高存储单元的读静态噪声容限(RSNM，Read Static Noise Margin)和写余量(WM，Write Margin)。

著录项

公开/公告号CN112017708A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-01

原文格式PDF
申请/专利权人苏州仙林力齐电子科技有限公司;
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申请/专利号CN202010470224.4
发明设计人张一平;张曼;
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申请日2020-05-28
分类号G11C7/24(20060101);
代理机构32364 苏州吴韵知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王铭陆
地址 215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇汇润国际商务广场2幢909室
入库时间 2023-06-19 09:04:30

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