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公开/公告号CN112134129A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国工程物理研究院激光聚变研究中心;
申请/专利号CN202011038506.3
发明设计人 郑天然;王方;胡东霞;李明中;刘红婕;孙喜博;
申请日2020-09-28
分类号H01S3/06(20060101);
代理机构51235 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人黎仲
地址 621000 四川省绵阳市绵山路64号
入库时间 2023-06-19 09:19:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-25
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 3/06 专利申请号:2020110385063 申请公布日:20201225
发明专利申请公布后的驳回
机译: 连续光栅调谐的外腔激光器,可自动抑制光源的自发辐射和放大的自发辐射
机译:半分析方法,用于评估放大的自发辐射对调Q激光器特性的影响
机译:一种基于半导体光放大器的可调谐双波长光纤环腔激光,使用两个外部注入的DFB激光器
机译:一种半分析方法来评估增强自发辐射对具有调制电压的激光器特性的影响
机译:四通道染料激光放大器的新设计及自发辐射的抑制
机译:窄线宽调Q光纤激光器,1480 nm拉曼光纤激光器和自由空间光纤放大器的开发。
机译:DEPFET传感器-放大器结构:一种克服1 / f噪声并达到像素检测器中次电子噪声的方法
机译:半导体光放大器谐波锁模掺Er光纤激光器的超高超模噪声抑制比
机译:通过啁啾二极管激光器在光纤放大器中抑制布里渊散射抑制