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由每个能够存储两个以上状态的多个存储设备组成的宏存储单元

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摘要

一种装置。该装置包括具有第一存储设备和第二存储设备的宏存储单元。第一和第二存储设备均能够存储两个以上的状态。宏存储单元存储多个值，这些值是从第一和第二存储设备分别存储的状态的组合得出的。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-07-19

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/22 专利申请号:2020102170977 申请日:20200325

实质审查的生效

1. 由每个能够存储两个以上状态的多个存储设备组成的宏存储单元 [P] . 中国专利： CN112151090A . 2020-12-29
2. 用于在具有多个存储状态的非易失性存储单元中执行操作的设备和方法 [P] . 中国专利： CN104395965A . 2015-03-04
3. NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH MORE THAN TWO STORAGE STATES PER MEMORY CELL [P] . 韩国专利： KR100259972B1 . 2000-06-15

机译：每个存储单元具有两个以上存储状态的非易失性半导体存储器件
4. Memory system using multiple storage mechanisms to enable storage and retrieval of more than two states in a memory cell [P] . 美国专利： US6137716A . 2000-10-24

机译：使用多种存储机制的存储系统能够在存储单元中存储和检索两个以上的状态
5. Memory system using multiple storage mechanisms to enable storage and retrieval of more than two states in a memory cell [P] . 美国专利： US5841695A . 1998-11-24

机译：使用多种存储机制的存储系统能够在存储单元中存储和检索两个以上的状态