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一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法

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本发明提供一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法，以双氨基取代的乙硅烷作为前驱体，沉积腔体的温度在整个沉积过程中保持在50℃以下。双氨基取代的乙硅烷常温下为液态，比固态产品更易于纯化和输送，且‑SiH3被臭氧氧化为‑Si(OH)3的反应具有更低的活化势垒，能够在50℃以下沉积反应，并显著提高SiO2薄膜的沉积速率。

著录项

公开/公告号CN112210769A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-12

原文格式PDF
申请/专利权人合肥安德科铭半导体科技有限公司;
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申请/专利号CN202011049192.7
发明设计人芮祥新;汪穹宇;李建恒;
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申请日2020-09-29
分类号C23C16/40(20060101);C23C16/455(20060101);C07F7/02(20060101);
代理机构33322 宁波中致力专利代理事务所(普通合伙);
代理人张圆
地址 230088 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园3号楼5层E区
入库时间 2023-06-19 09:32:16

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法律状态
2023-04-25

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发明专利权授予

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