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一种场效应晶体管模组及场效应晶体管模组的设计方法

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摘要

本发明提供了一种场效应晶体管模组及场效应晶体管模组的设计方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术所设计的场效应晶体管封装结构在面对较大电流的应用场景时需要外挂额外的电阻，尤其是当外挂多颗电阻时，严重影响布局空间的问题。所述方法包括：晶体管本体及电阻组件；所述晶体管本体与所述电阻组件连接，所述电阻组件设置于所述晶体管本体的源极。

著录项

  • 公开/公告号CN112271212A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州浪潮智能科技有限公司;

    申请/专利号CN202011148797.1

  • 发明设计人 蔡俊嘉;

    申请日2020-10-23

  • 分类号H01L29/417(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构11570 北京众达德权知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁凯

  • 地址 215000 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

  • 入库时间 2023-06-19 09:40:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-05

    授权

    发明专利权授予

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