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超快电脉冲下氧化铪基铁电薄膜畴和畴壁运动的分析方法

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一种超快电脉冲下氧化铪基铁电薄膜畴和畴壁运动的分析方法，包括：分别构建预设厚度的氧化铪基铁电薄膜的力场方程式、极化场方程式和电场方程式，得到氧化铪基铁电薄膜模型,其中力场方程式和所述极化场方程式中，力场持续的时间和极化场持续的时间相同，都是0.1‑100纳秒；分别推导出力场方程式的弱形式、极化场方程式的弱形式和电场方程式的弱形式；对力场方程式的弱形式、极化场方程式的弱形式和电场方程式的弱形式求解得到不同时刻所述铁电薄膜内的畴结构；根据不同时刻的铁电薄膜内的畴结构得到畴壁随时间的变化曲线。分析得到超快电脉冲幅值及持续时间与氧化铪基铁电薄膜保持性能、wake up效应之间的关联，为氧化铪基铁电薄膜宏观性能优化提供指导。

著录项

公开/公告号CN112307661A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-02

原文格式PDF
申请/专利权人湘潭大学;
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申请/专利号CN202011191969.3
发明设计人蒋丽梅;赖彬;王渊耀;邵宴萍;邓宇辉;杨宛婷;
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申请日2020-10-30
分类号G06F30/23(20200101);G06F119/14(20200101);
代理机构11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙);
代理人陈超
地址 411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
入库时间 2023-06-19 09:46:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-06-03

著录事项变更 IPC(主分类):G06F30/23 专利申请号:2020111919693 变更事项:发明人变更前:蒋丽梅赖彬王渊耀邵宴萍邓宇辉杨宛婷变更后:蒋丽梅邵宴萍王渊曜赖彬邓宇辉杨宛亭

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1. 超快电脉冲下氧化铪基铁电薄膜畴和畴壁运动的分析方法 [P] . 中国专利： CN112307661A . 2021-02-02
2. 一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN113517390A . 2021-10-19
3. Irregular ferroelectric element devised for single domain-wall motion [P] . 美国专利： US4088391A . 1978-05-09

机译：专为单畴壁运动设计的不规则铁电元件
4. Irregular ferroelectric element devised for motion of plural domain-walls [P] . 美国专利： US4046455A . 1977-09-06

机译：设计用于多个畴壁运动的不规则铁电元件
5. IRREGULAR FERROELECTRIC ELEMENT DEVISED FOR SINGLE DOMAIN-WALL MOTION [P] . 英国专利： GB1318082A . 1973-05-23

机译：为单畴壁运动设计的不规则铁电元件