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具有厚氧化物输入级晶体管的深亚微米MOS前置放大器

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本发明涉及一种电容式话筒装置，包括：电容式话筒换能器，具有被相邻近地放置的振动片和背板部件，在振动片和背板部件之间具有气隙。此外，该装置还具有深亚微米MOS集成电路管芯，包括前置放大器，该前置放大器包括用于接收由电容式话筒换能器所产生的电信号的第一信号输入端。所述第一信号输入端可操作地耦合至前置放大器的输入级，所述输入级包括厚氧化物晶体管。本发明还涉及一种深亚微米MOS集成电路管芯，包括基于厚氧化物晶体管的前置放大器。

著录项

公开/公告号CN101287304B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-02-06

原文格式PDF
申请/专利权人桑尼奥公司;
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申请/专利号CN200710185794.3
发明设计人 P·F·霍福斯坦;L·J·斯坦博格;
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申请日2007-12-17
分类号H01L27/088(20060101);H01L27/092(20060101);H04R19/01(20060101);H04R19/04(20060101);H04R1/04(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人郭放
地址丹麦罗斯基勒
入库时间 2022-08-23 09:13:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-19

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/088 登记生效日:20170330 变更前: 变更后: 申请日:20071217

专利申请权、专利权的转移
2013-02-27

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/088 变更前: 变更后: 申请日:20071217

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-02-27

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/088 变更前: 变更后: 登记生效日:20130122 申请日:20071217

专利申请权、专利权的转移
2013-02-06

授权

授权
2009-12-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-10-15

公开

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