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低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷及制备方法

摘要

本发明公开了一种低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷,其组成表达式为aMg2SiO4‑bMg2TiO4‑cCaTiO3‑dLi2NdO3,其中,a、b、c和d分别独立表示摩尔百分比,并满足以下条件:50mol%≤a≤60mol%,20mol%≤b≤30mol%,10mol%≤c≤20mol%,10mol%≤d≤20mol%,a+b+c+d=100mol%。本发明还公开了该低损耗低介电常数的温度稳定型微波介质陶瓷的制备方法。本发明的微波介质陶瓷兼具较低的介电常数、较高的品质因数以及较好的温度稳定性;本发明的制备工艺简单,采用的原材料价格适中,且无污染,产业化前景良好。

著录项

  • 公开/公告号CN112552034A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011567454.9

  • 发明设计人 吉岸;王晓慧;金镇龙;

    申请日2020-12-25

  • 分类号C04B35/20(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构32293 苏州国诚专利代理有限公司;

  • 代理人李小叶

  • 地址 214100 江苏省无锡市惠山区中恵路518-3号

  • 入库时间 2023-06-19 10:25:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-05

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01B 3/12 专利申请号:2020115674549 申请公布日:20210326

    发明专利申请公布后的撤回

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