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电子束激发半导体发光性能测试平台和激发参数优化方法

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本发明涉及一种电子束激发半导体发光性能测试平台和激发参数优化方法，该方法包括确定入射电子能量和电子束流量密度范围、等间隔采样并获取电子束参数组合、计算不同电子束参数组合对应的“次级”电子数量、初选电子束参数组合、实测初选电子束参数组合的发光性能、获取发光性能全局最优的电子束参数组合。本发明可以针对不同的发光性能需求，给出全局最优的电子束参数组合。

著录项

公开/公告号CN112595703A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人黄善杰;
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申请/专利号CN202011446278.3
发明设计人黄善杰;王岭雪;许方宇;蔡毅;吴刚;马俊卉;邓波;
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申请日2020-12-09
分类号G01N21/66(20060101);G01M11/02(20060101);
代理机构53100 昆明正原专利商标代理有限公司;
代理人亢能;陈左
地址 650000 云南省昆明市穿金路466号盛唐城26栋405号
入库时间 2023-06-19 10:27:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-04-07

专利申请权的转移 IPC(主分类):G01N21/66 专利申请号:2020114462783 登记生效日:20230327 变更事项:申请人变更前权利人:黄善杰变更后权利人:中国科学院云南天文台变更事项:地址变更前权利人:650000 云南省昆明市穿金路466号盛唐城26栋405号变更后权利人:650000 云南省昆明市官渡区羊方旺396号

专利申请权、专利权的转移

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