公开/公告号CN112620270A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 国镓芯科(深圳)半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202011427308.6
申请日2020-12-07
分类号B08B9/093(20060101);B08B13/00(20060101);F26B21/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 518000 广东省深圳市福田区华富街道新田社区彩田路3030号橄榄鹏苑B座2706
入库时间 2023-06-19 10:35:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-28
专利申请权的转移 IPC(主分类):B08B 9/093 专利申请号:2020114273086 登记生效日:20230718 变更事项:申请人 变更前权利人:国镓芯科(深圳)半导体科技有限公司 变更后权利人:国镓芯科(成都)半导体科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:518000 广东省深圳市福田区华富街道新田社区彩田路3030号橄榄鹏苑B座2706 变更后权利人:610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府五街200号5号楼B区2楼221室
专利申请权、专利权的转移
机译: 清洗化合物半导体的方法,清洗含有镓作为构成元素的化合物半导体的溶液,制造化合物半导体器件的方法,制造氮化镓衬底的方法和氮化镓衬底
机译: 清洗复合半导体的方法,清洗含有镓作为组成元素的复合半导体的解决方案,制造复合半导体器件的方法,制造氮化镓基体的方法以及氮化镓基体
机译: 用于清洗化合物半导体的方法,用于清洗化合物半导体的溶液,用于制造化合物半导体器件的方法,用于制造氮化镓衬底的方法,氮化镓衬底