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一种可降低磁屏蔽耦合效应的偶极均匀磁场线圈设计方法

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本发明公开了一种可降低磁屏蔽耦合效应的偶极均匀磁场线圈设计方法，包括确定偶极均匀磁场线圈的结构参数和性能需求，设置匝数和位置分布；利用磁屏蔽内线圈磁场理论优化偶极均匀磁场线圈的结构参数，仿真计算偶极均匀磁场线圈的性能；判断偶极均匀磁场线圈的性能是否满足性能需求，若不满足性能需求，则跳转修改线圈环数和匝数分布直至得到最优的结构参数。本发明在磁屏蔽内使用能有效减小线圈与磁屏蔽耦合效应，能够避免实际磁屏蔽非理想情况对线圈磁场均匀性的影响，有利于弱磁条件下的新型量子器件的研制，与现有无矩均匀磁场线圈相比具有单层结构，结构简单，加工容易，空间利用率高等优势，且能充分利用磁屏蔽内部空间。

著录项

公开/公告号CN112711876A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27

原文格式PDF
申请/专利权人中国人民解放军国防科技大学;
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申请/专利号CN202011496787.7
发明设计人李佳佳;张燚;汪之国;罗晖;杨开勇;
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申请日2020-12-17
分类号G06F30/23(20200101);H01F5/00(20060101);G06F17/15(20060101);
代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人谭武艺
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
入库时间 2023-06-19 10:46:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-09-13

授权

发明专利权授予

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