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增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法

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本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法，其中，p型氮化物栅的制备方法包括以下步骤：步骤S1：在异质结上依次沉积第一保护层、第二保护层和p型氮化物层；步骤S2：通过第一刻蚀去除栅极区域以外的p型氮化物层直至露出第二保护层，并形成p型氮化物栅；步骤S3：通过第二刻蚀去除栅极区域以外的第二保护层，选用的第二刻蚀使得在相同刻蚀条件下，第二刻蚀对第二保护层的刻蚀速率高于其对第一保护层的刻蚀速率。通过第一刻蚀去除p型氮化物层时，受损的第二保护层可以通过对第一保护层损伤较小的第二刻蚀去除，从而能够精确地控制刻蚀的深度和均匀性。

著录项

公开/公告号CN112736137A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-30

原文格式PDF
申请/专利权人广东省科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN202011645381.0
发明设计人任远;程川;陈志涛;刘宁炀;赵维;姜南;
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申请日2020-12-31
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/49(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构11400 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李彬彬;陈莉娥
地址 510651 广东省广州市天河区长兴路363号
入库时间 2023-06-19 10:48:02

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-03-10

授权

发明专利权授予

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1. 增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法 [P] . 中国专利： CN112736137A . 2021-04-30
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