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双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用

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本发明公开了一种双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用，双边耦合超对称半导体激光器阵列包括：主阵列，由一个或者多个相连的第一波导单元构成，至少一个第一波导单元有电流注入并提供增益促使基超模激射；第一副阵列和第二副阵列，第一副阵列和第二副阵列均由一个或者多个相连的第二波导单元构成，用于产生本征损耗并耗散高阶超模，第一副阵列和第二副阵列分别位于主阵列两侧。本发明提供的双边耦合超对称半导体激光器阵列，通过超对称变换构建已知主阵列的两个副阵列并将两个副阵列放在其两侧，使得高阶超模的损耗提升而减小基超模的损耗，从而获得以基超模为主的激光输出，减小激光器的水平发散角，提高激光器的侧向光束质量。

著录项

公开/公告号CN112769037A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN202110059235.8
发明设计人郑婉华;傅廷;周旭彦;贾宇飞;陈静瑄;王宇飞;王学友;齐爱谊;
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申请日2021-01-15
分类号H01S5/20(20060101);H01S5/40(20060101);H01S5/042(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人刘歌
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 10:52:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-11-11

授权

发明专利权授予

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