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一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法

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摘要

本发明提供了一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域。本发明采用化学水浴沉积法制备ZnCdS薄膜，方法简单，且制备的ZnCdS薄膜均匀致密、无针孔出现。本发明通过化学水浴沉积法在CZTSSe吸收层表面沉积ZnCdS缓冲层，继而优化ZnCdS薄膜的带隙和能级结构，ZnCdS薄膜和CZTSSe吸收层薄膜形成有利于光生载流子分离和传输的spike型界面能级结构。同时，由于ZnCdS薄膜的带隙较大，有效降低了缓冲层对短波谱段可见光的无效光吸收，增加了CZTSSe太阳电池对太阳光的利用效率，从而使CZTSSe光伏器件的光电转换效率有了明显的提高。

著录项

  • 公开/公告号CN112837997A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河南大学;

    申请/专利号CN202110011731.6

  • 发明设计人 周正基;袁胜杰;徐圳;武四新;

    申请日2021-01-06

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11569 北京高沃律师事务所;

  • 代理人王术娜

  • 地址 475004 河南省开封市明伦街85号

  • 入库时间 2023-06-19 11:05:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-12-13

    授权

    发明专利权授予

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