公开/公告号CN112836378A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军92859部队;
申请/专利号CN202110181797.X
申请日2021-02-08
分类号G06F30/20(20200101);G06F111/10(20200101);G06F119/14(20200101);
代理机构12209 天津盛理知识产权代理有限公司;
代理人王利文
地址 300061 天津市河西区友谊路40号
入库时间 2023-06-19 11:05:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-10
授权
发明专利权授予
机译: 具有梯度掺杂区域的垂直结场效应晶体管和二极管及其制造方法
机译: 具有梯度掺杂区域的垂直结场效应晶体管和二极管及其制造方法
机译: 具有梯度掺杂区域的垂直结场效应晶体管和二极管及其制造方法