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一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器

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本发明公开了一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片，通过将Y分支波导、射频调制部分的波导光路、偏压控制部分的波导光路在空间上进行分隔，并使用90°弯曲波导将上述波导光路进行连接，可以显著地缩短铌酸锂薄膜电光调制器芯片的长度；另外，还提供了一种铌酸锂薄膜电光调制器，将作为光学输入端口和输出端口的光纤放置于铌酸锂薄膜电光调制器芯片的同一侧，并且将电光调制器件的光纤端口保护结构放置于器件的同一侧，可以有效地缩短铌酸锂薄膜电光调制器的总长度。

著录项

公开/公告号CN112835215A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25

原文格式PDF
申请/专利权人天津领芯科技发展有限公司;
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申请/专利号CN202010294395.6
发明设计人李萍;
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申请日2020-04-15
分类号G02F1/035(20060101);
代理机构
代理人
地址 300400 天津市北辰区双街镇双街可信产业园B10-5-101
入库时间 2023-06-19 11:05:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-01-10

授权

发明专利权授予

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