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公开/公告号CN112844421A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 厦门大学;
申请/专利号CN202110062563.3
发明设计人 曹阳;张梦如;张瑞华;
申请日2021-01-18
分类号B01J27/051(20060101);C25B11/075(20210101);C25B1/04(20210101);
代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;
代理人张松亭;游学明
地址 361000 福建省厦门市思明南路422号
入库时间 2023-06-19 11:09:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-14
授权
发明专利权授予
机译: 具有增强性能的批量CMOS器件和形成相同的利用批量CMOS过程的方法
机译:二氧化碳辅助制备h-MoO3 / 1T-MoS2新型异质结构以增强光电催化性能
机译:MOSX在铜泡沫上涂覆铜纳米线作为高度稳定的光电极,用于增强光电催化氢进化反应。 等离子体诱导的热载体
机译:CO2诱导相工程:增强二维MoS2纳米片的光电催化性能的协议
机译:太阳能燃料产生等离子体增强的光电催化
机译:在各种基质上增强二氧化钛/二氧化钛-硫化镉的光催化/光电催化性能,用于污染物降解和制氢。
机译:Au纳米粒子的表面等离子体激元共振结合Al2O3原子层沉积使表面钝化增强了α-Fe2O3薄膜的光电催化性能
机译:在MOS 2边缘的MOS 2边缘无缝拼接金属Sn X Mo 1-x S 2,以增强微反应器的光电催化性能
机译:一种利用等离子体波现象测定原位电子温度的新方法