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一种基于旋涂技术的可控量子点制备方法及量子点

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本发明属于量子点技术领域。本发明公开了一种基于旋涂技术的可控量子点制备方法，所述量子点以图形化衬底为模板通过将量子点源离心旋涂在所述图形化衬底上后经过生长获得；具体包括衬底预处理、衬底图形化处理、可控量子点制备及固定量子点等步骤；本发明还公开了一种由上述制备方法制得的量子点。本发明中利用了图形化衬底及旋涂技术，实现了量子点的均匀可控生长，本发明中获得的量子点完全生长于图形化衬底的目标区域，再目标区域外不生长量子点；本发明中可以根据需要针对不同的量子点形状涉及图形化衬底，满足生长不同形状量子点的需求；本发明中的量子点生长工艺的工艺过程更加简单，但也能实现可控量子点生长。

著录项

公开/公告号CN112916348A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-08

原文格式PDF
申请/专利权人中国计量大学;
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申请/专利号CN202110085733.X
发明设计人刘豪;金尚忠;周亚东;赵天琦;邹艳秋;
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申请日2021-01-22
分类号B05D1/00(20060101);B05D7/24(20060101);
代理机构33329 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人安佳伟;唐灵
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
入库时间 2023-06-19 11:21:00

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2022-05-17

授权

发明专利权授予

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